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总投入200亿元!半导体龙头士兰微拟投建12英寸高端模拟集成电路芯片项目

  10月18日,士兰微与厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府签署协议,拟投资200亿元在厦门市海沧区建设12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线。项目分两期,一期投资100亿元,2027年投产,2030年达产,年产24万片;二期再投100亿元,达产后两期合计年产54万片。此前,士兰微还与厦门合作了120亿元项目。

  半导体行业或将迎来200亿元投资规模的大项目。

  10月19日晚间,国内半导体龙头士兰微(600460.SH,股价29.94元,市值498.22亿元)公告称,10月18日,厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府、士兰微在厦门签署《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目战略合作协议》,拟在厦门市海沧区投资建设一条对标国际领先水平、以IDM模式运营、拥有完全自主知识产权的12英寸高端模拟集成电路芯片生产线。

  合作协议签署当日,士兰微及其全资子公司厦门士兰微电子有限公司(以下简称厦门士兰微)还与厦门半导体投资集团有限公司(以下简称厦门半导体)、厦门新翼科技实业有限公司(以下简称新翼科技)签署了对应的投资协议。其中,厦门半导体的实际控制人为厦门市海沧区人民政府,新翼科技的实际控制人为厦门市国资委。

  据士兰微披露,该项目规划总投资200亿元人民币,计划分两期建设:一期投资规模100亿元人民币,计划于2025年年底前开工建设,于2027年四季度初步通线英寸模拟集成电路芯片的生产能力。二期规划将在一期的基础上再投资100亿元人民币。

  据士兰微介绍,上述200亿元项目定位于高端模拟芯片领域,具有技术门槛高,设计复杂,对性能、可靠性、功耗要求极严苛的特点。

  “目前国内整体模拟芯片市场的国产化率仍然处于较低水平,尤其是高端模拟芯片的国产化仍有较大的成长空间。随着新能源汽车、大型算力服务器、工业、机器人、通讯等产业领域未来几年的快速发展,本项目的投建有利于加快高端模拟芯片的国产化替代,提高公司的国际竞争能力。”士兰微称。

  具体来看,上述200亿元投资规模的高端芯片项目,规划产能4.5万片/月,分两期实施。第一期计划投资的100亿元中,资本金合计60.1亿元,占60.1%,银行贷款39.9亿元,占39.9%。按计划,相关资金将被用于建设主体厂房、配套库房、110KV变电站、动力站、废水站、大宗气站等公用辅助设施以及部分工艺设备购置,建成后形成月产能2万片。

  二期项目规划投资100亿元,在一期基础上通过购置工艺设备及配套实施,建成后新增月产能2.5万片,达产后两期将合计实现月产能4.5万片,对应年产量54万片。

  据士兰微透露,项目推进过程中,公司将向项目充分导入其在集成电路、功率半导体、MEMS(微电子机械系统)传感器等特色工艺芯片生产线和先进化合物半导体器件生产线技术、市场、人才、运营等方面的优势,结合厦门政策、区位、综合环境等优势,为产业链上下游企业提供相关产品、技术支撑与服务。

  “各方力争一期项目于2025年四季度拿地、年底前开工建设,完成厂房建设及设备安装调试后于2027年四季度初步通线年达产。”士兰微称。

  据了解,项目实施的主体是士兰微的子公司厦门士兰集华微电子有限公司(以下简称士兰集华)。公开信息显示,该公司成立于2025年6月。

  士兰集华拟新增的51亿元注册资本中,上市公司和厦门士兰微拟以自有资金合计认缴15亿元,厦门半导体认缴15亿元,新翼科技认缴21亿元。增资完成后,士兰集华的注册资本将由0.10亿元增加至51.10亿元,不再纳入士兰微的合并报表范围。

  针对出资,多方还约定,新增的资本金可分多个阶段实缴出资到位,但各方应于2027年12月底前完成全部实缴出资。一期项目资本金全部到位后,上市公司对项目公司的持股比例将降至25.12%。

  “如本次投资事项顺利实施,将为士兰集华项目的建设和运营提供资金保障,有利于充分发挥公司在设计制造一体化模式(IDM)长期积累的独特优势,持续提升综合能力,符合公司长期发展战略规划;有利于加快完善公司在高端模拟集成电路芯片领域的战略布局,增强核心竞争力;有利于抓住当前新能源汽车、算力服务器、机器人等新兴产业的发展契机,推动公司主营业务持续成长。”士兰微称。

  实际上,在此次重大合作之前,士兰微就曾与厦门市方面有所合作。

  2024年5月21日,士兰微曾与厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府共同签署了战略合作协议,协议各方合作在厦门市海沧区建设一条以SiC-MOSFET(碳化硅-金属氧化物半导体场效应管)为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线。该项目分两期建设,项目一期投资规模70亿元,二期投资规模50亿元,两期建设完成后,将形成8英寸SiC功率器件芯片年产72万片的生产能力。

  另据士兰微披露,8英寸SiC项目的主厂房及其他建筑物已于今年2月28日实现全面封顶,并于6月26日实现首台工艺设备进厂安装,预计将于今年四季度实现8英寸SiC大线通线并试生产。

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